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INS1001DE 技術仕様

The INS1001 is designed to drive single-channel GaN FET(s) in either low-side, high-side, or secondary-side SR applications.

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / HV GaN HEMT
Manufacturer Innoscience
Factory Lead Time 3 Weeks
Configuration Single Driver
Features Wide 6V to 20V Operating Voltage Range
Strong 1.3-Ω Pullup and 0.5-Ω Pulldown Resistance Fast Propagation Delay with Input Deglitching
Built-In UVLO, OVP, OTP Protection
AC-DC, DC-DC Converters Boost, Flyback, and Forward Converters
Solar Inverters, Motor Control, UPS
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package DFN 3X3
Dual Inverting and Non-Inverting PWM Inputs Independent Pullup and Pulldown Outputs forAdjustable Turn-on and Turn-off Speeds
User Programmable Gate Driver Supply Voltage Integrated 5V LDO for supplying Digital Isolator
Applications Switch-Mode Power Supplies
Half-Bridge and Full-Bridge Converters Synchronous Rectification
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戻る 戻る すべての返品は請求書の日付から 60 日以内に行われ、元の請求書番号、保証書、部品の写真、返品理由の簡単な説明またはテストレポートを添付する必要があります。 60日を過ぎた場合は返品を受け付けられません。返品される商品は元の梱包のまま、再販売可能な状態でなければなりません。見積時または販売時のお客様の間違いによる返品は受け付けられません。返品の発送前に、返品承認についてカスタマーサービスにご連絡ください。
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INS1001DE ブランドメーカー: Innoscience, Bonchip ストック, INS1001DE 参考価格. INS1001DE パラメーター, INS1001DE データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 INS1001DE プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 INS1001DE ピン図と回路図と機能の使用方法、 INS1001DE エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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