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AUIRF1018ES 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 79A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
AUIRF1010EZ IR 特殊なホットIC 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
AUIRF1010S IR 特殊なホットIC 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
AUIRF1010ZL IR 特殊なホットIC 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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AUIRF1018ES ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, AUIRF1018ES 参考価格. AUIRF1018ES パラメーター, AUIRF1018ES データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 AUIRF1018ES プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 AUIRF1018ES ピン図と回路図と機能の使用方法、 AUIRF1018ES エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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