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BCR 103T E6327
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BCR 103T E6327 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA |
Supplier Device Package | PG-SC-75 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
BCR 103T E6327 書類
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データシート
BCR 103T E6327.pdf
その他には以下が含まれます: "BCR 1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BCR 1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BCR 101L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2668 |
BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 101T E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2762 |
BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103F E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2788 |
BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103L3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2699 |
BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
BCR 108 B6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2766 |
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