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BCR183E6359HTMA1 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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BCR183 INFINEO 特殊なホットIC 6249
BCR183 E6327 INFINEO 特殊なホットIC 2346
BCR183 E6327/WMS NA 特殊なホットIC 1497
BCR183E6327 INFINEO 特殊なホットIC 2436
BCR183E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2593
BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR183E6359HTMA1 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR183E6433HTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2633
BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies 事前バイアスBJTトランジスタ
BCR183E6433HTMA1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ

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BCR183E6359HTMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BCR183E6359HTMA1 参考価格. BCR183E6359HTMA1 パラメーター, BCR183E6359HTMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BCR183E6359HTMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BCR183E6359HTMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BCR183E6359HTMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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