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BFP 520F E6327
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BFP 520F E6327 技術仕様
TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
Supplier Device Package | 4-TSFP |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 45GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.95dB @ 1.8GHz |
Gain | 22.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
BFP 520F E6327 書類
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データシート
BFP 520F E6327.pdf
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | RF BJT トランジスタ | |
BFP 540F E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | 2513 |
BFP 540F E6327 | Infineon Technologies | RF BJT トランジスタ |
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