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BSB014N04LX3 G
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BSB014N04LX3 G 技術仕様
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Package / Case | 3-WDSON |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
BSB014N04LX3 G 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSB012N03LX3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2677 |
BSB012NE2LX | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2778 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSB012NE2LX5G | INFINEON | 特殊なホットIC | 2604 |
BSB012NE2LXI | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 35319 |
BSB012NE2LXI IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2201 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2652 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSB013NE2LXI | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 18407 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2519 |
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