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BSB044N08NN3 G
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BSB044N08NN3 G 技術仕様
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 97µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Package / Case | 3-WDSON |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 90A (Tc) |
BSB044N08NN3 G 書類
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データシート
BSB044N08NN3 G.pdf
その他には以下が含まれます: "BSB04" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BSB04'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSB044N08NN3G MOSFETIGBTIC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 3280 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2794 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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