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BSC130P03LS G 技術仕様

BSC130P03LS G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73.1nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3670pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSC130P03LS G MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1376
BSC130P03LSG International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なIC 5263
BSC130P03LSGAUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2525
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
BSC130P03NS3G INFINEON 特殊なホットIC 15000
BSC13DN30NSFD International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 5346
BSC13DN30NSFDATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2641
BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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BSC130P03LS G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSC130P03LS G 参考価格. BSC130P03LS G パラメーター, BSC130P03LS G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSC130P03LS G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSC130P03LS G ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSC130P03LS G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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