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BSC160N10NS3GATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 42A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSC160N10NS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1236
BSC160N10NS3 G VB 特殊なホットIC 3000
BSC160N10NS3G INFINEON 特殊なホットIC 2786
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
BSC160N15NS5 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 5438
BSC160N15NS5 IC International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 481
BSC160N15NS5 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 25397
BSC160N15NS5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2728
BSC160N25NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 387
BSC16DN25NS3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8145

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BSC160N10NS3GATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSC160N10NS3GATMA1 参考価格. BSC160N10NS3GATMA1 パラメーター, BSC160N10NS3GATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSC160N10NS3GATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSC160N10NS3GATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSC160N10NS3GATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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