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BSP299H6327XUSA1 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
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BSP295 INF 特殊なホットIC 2312
BSP295 E6327 SIEMENS 特殊なホットIC 2594
BSP295 H6327 INFINEO 特殊なホットIC 24732
BSP295 L6327 INFINEO 特殊なホットIC 32000
BSP295 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 446
BSP295E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5744
BSP295E6327T International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2524
BSP295H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 34669
BSP295H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2663
BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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BSP299H6327XUSA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSP299H6327XUSA1 参考価格. BSP299H6327XUSA1 パラメーター, BSP299H6327XUSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSP299H6327XUSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSP299H6327XUSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSP299H6327XUSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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