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BSS127 H6327
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BSS127 H6327 技術仕様
BSS127 H6327 Infineon Technologies
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 8µA |
Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21mA (Ta) |
BSS127 H6327 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BSS127 H6327
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データシート
BSS127 H6327.pdf
その他には以下が含まれます: "BSS12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BSS12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSS123 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 272257 |
BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2319 |
BSS123 | ON Semiconductor | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSS123 B123 | CJ | 特殊なホットIC | 3273 |
BSS123 E6327 | INFINEO | 特殊なホットIC | 12423 |
BSS123 E6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2658 |
BSS123 IC | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 7680 |
BSS123 L6327 | INFINEO | 特殊なホットIC | 5400 |
BSS123 L6327 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2293 |
BSS123 L6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 8082 |
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