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BSZ014NE2LS5IFATMA1
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Body) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 40A (Tc) |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 書類
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データシート
BSZ014NE2LS5IFATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "BSZ01" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSZ013NE2LS5IATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2611 |
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSZ014NE2LS5IF | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 3729 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSZ017NE2LS5IATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2582 |
BSZ018N04LS6 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 4199 |
BSZ018NE2LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10302 |
BSZ018NE2LS MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 326 |
BSZ018NE2LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2631 |
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEO | 特殊なホットIC | 11500 |
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