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BSZ086P03NS3E G 技術仕様

BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4785pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
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BSZ086P03NS3E G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSZ086P03NS3E G 参考価格. BSZ086P03NS3E G パラメーター, BSZ086P03NS3E G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSZ086P03NS3E G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSZ086P03NS3E G ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSZ086P03NS3E G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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