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BSZ123N08NS3 G 技術仕様

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Tc)
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BSZ120P03N INFINEON 特殊なホットIC 566
BSZ120P03N3 G 120P3N International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 543
BSZ120P03NS3 G Infineo 特殊なホットIC 12420
BSZ120P03NS3E International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 573
BSZ120P03NS3E G Infineo 特殊なホットIC 20252
BSZ120P03NS3EG INFINEO 特殊なホットIC 2554
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BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
BSZ120P03NS3G INFIN 特殊なホットIC 160224
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BSZ123N08NS3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSZ123N08NS3 G 参考価格. BSZ123N08NS3 G パラメーター, BSZ123N08NS3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSZ123N08NS3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSZ123N08NS3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSZ123N08NS3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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