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BSZ160N10NS3GATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 12µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 40A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSZ160N10NS3 G INFINEO 特殊なホットIC 5600
BSZ160N10NS3G INFINEO 特殊なホットIC 5312
BSZ160N10NS3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 5617
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
BSZ165N04NS G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5411
BSZ165N04NSG INF 特殊なホットIC 4050
BSZ165N04NSGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
BSZ165N04NSGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
BSZ16DN25NS3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5600
BSZ16DN25NS3G INFINEO 特殊なホットIC 8569

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BSZ160N10NS3GATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSZ160N10NS3GATMA1 参考価格. BSZ160N10NS3GATMA1 パラメーター, BSZ160N10NS3GATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSZ160N10NS3GATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSZ160N10NS3GATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSZ160N10NS3GATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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