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BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1 技術仕様
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
BSZ180P03NS3EGATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BSZ180P03NS3EGATMA1
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データシート
BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "BSZ18" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BSZ18'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSZ180P03NS3 G | Infineo | 特殊なホットIC | 19271 |
BSZ180P03NS3E G | Infineo | 特殊なホットIC | 15863 |
BSZ180P03NS3EG | INFINEO | 特殊なホットIC | 5600 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
BSZ180P03NS3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 588 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2631 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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BSZ180P03NS3EGATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, BSZ180P03NS3EGATMA1 参考価格. BSZ180P03NS3EGATMA1 パラメーター, BSZ180P03NS3EGATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSZ180P03NS3EGATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSZ180P03NS3EGATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSZ180P03NS3EGATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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