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IPA028N08N3GXKSA1
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IPA028N08N3GXKSA1 技術仕様
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 80V 89A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 89A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | IPA028N08N3 G IPA028N08N3 G-ND IPA028N08N3G SP000446770 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A (Tc) |
IPA028N08N3GXKSA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPA028N08N3GXKSA1
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データシート
IPA028N08N3GXKSA1.pdf
その他には以下が含まれます: "IPA02" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPA02'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPA028N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 28861 |
IPA028N08N3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 32403 |
IPA029N06N | inf | 特殊なホットIC | 8696 |
IPA029N06NXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2567 |
IPA029N06NXKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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