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IPB039N10N3GE8187ATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
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IPB039N10N3GE8187ATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB039N10N3GE8187ATMA1 参考価格. IPB039N10N3GE8187ATMA1 パラメーター, IPB039N10N3GE8187ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB039N10N3GE8187ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB039N10N3GE8187ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB039N10N3GE8187ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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