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IPB03N03LB
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IPB03N03LB 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 55A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7624pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
IPB03N03LB 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB03N03LB
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データシート
IPB03N03LB.pdf
その他には以下が含まれます: "IPB03" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPB03'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPB030N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 9367 |
IPB030N08N3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 68 |
IPB030N08N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1544 |
IPB030N08N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1378 |
IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB031N08N5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 16928 |
IPB031NE7N3 G | INFINEON | 特殊なホットIC | 18802 |
IPB031NE7N3G | INF | 特殊なホットIC | 619 |
IPB031NE7N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 15824 |
IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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