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IPB04N03LB 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5203pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB041N04N G Infineo 特殊なホットIC 23800
IPB041N04NG VB 特殊なホットIC 18500
IPB041N04NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2623
IPB042N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17333
IPB042N03LG I 特殊なホットIC 1234
IPB042N03LG MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5395
IPB042N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2786
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB042N10N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 26423
IPB042N10N3 G IC International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 26460

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IPB04N03LB ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB04N03LB 参考価格. IPB04N03LB パラメーター, IPB04N03LB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB04N03LB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB04N03LB ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB04N03LB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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