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IPB072N15N3 G 技術仕様

IPB072N15N3 G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5470pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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IPB072N15N3 G 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB070N06L G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2681
IPB070N06LG VB 特殊なホットIC 1000
IPB070N06NG VB 特殊なホットIC 1000
IPB072N15N3 INFINEON 特殊なホットIC 2569
IPB072N15N3G INFINEO 特殊なホットIC 5426
IPB072N15N3G IC International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 10324
IPB072N15N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 574
IPB072N15N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 25488
IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB072N15N3GATMA1 IC INF 特殊なホットIC 18458

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IPB072N15N3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB072N15N3 G 参考価格. IPB072N15N3 G パラメーター, IPB072N15N3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB072N15N3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB072N15N3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB072N15N3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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