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IPB081N06L3 G 技術仕様

IPB081N06L3 G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 34µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB080N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23545
IPB080N03LG VB 特殊なホットIC 3263
IPB080N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 619
IPB080N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2769
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB080N06LG INF 特殊なホットIC 25000
IPB080N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 18898
IPB080N06NG VB 特殊なホットIC 50863
IPB081N06L3G INF 特殊なホットIC 792
IPB081N06L3G MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1366

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IPB081N06L3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB081N06L3 G 参考価格. IPB081N06L3 G パラメーター, IPB081N06L3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB081N06L3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB081N06L3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB081N06L3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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