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IPB200N25N3 G 技術仕様

IPB200N25N3 G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
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IPB200N25N3 G 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB200N15N3 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 12785
IPB200N15N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 87216
IPB200N15N3G INFINEO 特殊なホットIC 102681
IPB200N15N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 322
IPB200N15N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2617
IPB200N15N3GATMA1 IC INF 特殊なホットIC 17789
IPB200N15N3S International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 91056
IPB200N25N3 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 32363
IPB200N25N3G INFINNO 特殊なホットIC 5446
IPB200N25N3G IC International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 25825

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IPB200N25N3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB200N25N3 G 参考価格. IPB200N25N3 G パラメーター, IPB200N25N3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB200N25N3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB200N25N3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB200N25N3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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