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IPB47N10S-33 技術仕様

IPB47N10S-33 Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
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IPB47N10S-33 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB47N10S-33 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 709
IPB47N10S-33 N1033 INFINEO 特殊なホットIC 2577
IPB47N10S33ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2570
IPB47N10SL-26 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 14048
IPB47N10SL-26 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1356
IPB47N10SL26ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2613
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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IPB47N10S-33 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB47N10S-33 参考価格. IPB47N10S-33 パラメーター, IPB47N10S-33 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB47N10S-33 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB47N10S-33 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB47N10S-33 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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