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IPB50CN10NGATMA1
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IPB50CN10NGATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
IPB50CN10NGATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB50CN10NGATMA1
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データシート
IPB50CN10NGATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "IPB50" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPB50'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPB50CN10N G | INFINEON | 特殊なホットIC | 23023 |
IPB50CN10NG | INFINEO | 特殊なホットIC | 9449 |
IPB50N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1276 |
IPB50N10S3L | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 58693 |
IPB50N10S3L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 43180 |
IPB50N10S3L-16 MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 1455 |
IPB50N10S3L-16(3N10L16 | INFINEO | 特殊なホットIC | 32528 |
IPB50N10S3L-16(3N10L16) | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 58693 |
IPB50N10S3L16ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2394 |
IPB50N12S3L-15 | INEONI | 特殊なホットIC | 12973 |
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