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IPB60R199CP 技術仕様

IPB60R199CP Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23218
IPB600N25N3G INFINOE 特殊なホットIC 8926
IPB600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 493
IPB600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2621
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB60R040C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2558
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB60R045P7 INEONI 特殊なホットIC 12763
IPB60R060C7 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 12825
IPB60R060C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2775

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IPB60R199CP ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB60R199CP 参考価格. IPB60R199CP パラメーター, IPB60R199CP データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB60R199CP プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB60R199CP ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB60R199CP エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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