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IPB65R045C7ATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.25mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 24.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
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IPB65R045C7 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1751
IPB65R045C7 65C7045 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1511
IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB65R045C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2639
IPB65R065C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2546
IPB65R065C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2618
IPB65R095C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2655
IPB65R095C7ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2688
IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB65R099C6 INFINEON 特殊なホットIC 32363

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IPB65R045C7ATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPB65R045C7ATMA1 参考価格. IPB65R045C7ATMA1 パラメーター, IPB65R045C7ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB65R045C7ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB65R045C7ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB65R045C7ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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