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IPD031N06L3 G 技術仕様

IPD031N06L3 G Infineon Technologies

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPD030N03L International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 588
IPD031N03L INFINEON 特殊なホットIC 2646
IPD031N03L G INFINEO 特殊なホットIC 959
IPD031N03LG I 特殊なホットIC 24205
IPD031N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2788
IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPD031N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2521
IPD031N03M G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2511
IPD031N0623G INFINEO 特殊なホットIC 6300
IPD031N06L 031N06L International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1133

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IPD031N06L3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPD031N06L3 G 参考価格. IPD031N06L3 G パラメーター, IPD031N06L3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD031N06L3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD031N06L3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD031N06L3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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