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IPD105N03LGATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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IPD105N03LGATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPD105N03LGATMA1 参考価格. IPD105N03LGATMA1 パラメーター, IPD105N03LGATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD105N03LGATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD105N03LGATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD105N03LGATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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