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IPD110N12N3GATMA1
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IPD110N12N3GATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 83µA (Typ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 75A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 60V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
IPD110N12N3GATMA1 書類
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データシート
IPD110N12N3GATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "IPD11" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPD11'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPD110N12N3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 32363 |
IPD110N12N3 G | Infineo | 特殊なホットIC | 5353 |
IPD110N12N3G | I | 特殊なホットIC | 2256 |
IPD110N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPD110N12N3GBUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2549 |
IPD11N03LBG | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 32363 |
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IPD110N12N3GATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPD110N12N3GATMA1 参考価格. IPD110N12N3GATMA1 パラメーター, IPD110N12N3GATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD110N12N3GATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD110N12N3GATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD110N12N3GATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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