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IPD60R600P6ATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P6
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 557pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPD600N25N3 G INFINEON 特殊なホットIC 2283
IPD600N25N3G INFINEO 特殊なホットIC 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON 特殊なホットIC 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2570
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IPD60R600P6ATMA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPD60R600P6ATMA1 参考価格. IPD60R600P6ATMA1 パラメーター, IPD60R600P6ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD60R600P6ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD60R600P6ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD60R600P6ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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