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IPD60R800CEATMA1
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IPD60R800CEATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ CE |
Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
IPD60R800CEATMA1 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "IPD60" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPD60'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | 特殊なホットIC | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | 特殊なホットIC | 5277 |
IPD600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2838 |
IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | 特殊なホットIC | 2603 |
IPD600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5358 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPD600N25N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2570 |
IPD60N10S4-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2091 |
IPD60N10S412ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2571 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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