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IPD65R650CEATMA1
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IPD65R650CEATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.1A (Tc) |
IPD65R650CEATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPD65R650CEATMA1
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データシート
IPD65R650CEATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "IPD65" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPD65'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPD65R190C7 | inf | 特殊なホットIC | 700 |
IPD65R190C7ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2704 |
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPD65R1K0CE IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 294 |
IPD65R1K0CEAUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2799 |
IPD65R1K4C6 | INFINEO | 特殊なホットIC | 1631 |
IPD65R1K4C6ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2568 |
IPD65R1K4CFD | INFINEO | 特殊なホットIC | 6300 |
IPD65R1K4CFDATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2578 |
IPD65R1K4CFDBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2748 |
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