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IPD80R4K5P7ATMA1
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IPD80R4K5P7ATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 13W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 500V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
IPD80R4K5P7ATMA1 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "IPD80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPD80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPD800N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 5409 |
IPD800N06N G | infineon | 特殊なホットIC | 10433 |
IPD800N06N G MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 10349 |
IPD800N06NG | INFINEO | 特殊なホットIC | 57724 |
IPD800N06NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2559 |
IPD800N06NGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2645 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPD80N04S3-06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 55851 |
IPD80N04S3-06 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 14387 |
IPD80N04S3-06 QN0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1672 |
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