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IPI110N20N3GAKSA1 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 88A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Tc)
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IPI110N20N3GAKSA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPI110N20N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 517
IPI110N20N3G International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 342
IPI110N20N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 273
IPI110N20N3GAKSA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPI111N15N3 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 491
IPI111N15N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1831
IPI111N15N3GAKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2669
IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPI11N03LA International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2575
IPI11N60C3A MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 791

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IPI110N20N3GAKSA1 ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPI110N20N3GAKSA1 参考価格. IPI110N20N3GAKSA1 パラメーター, IPI110N20N3GAKSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPI110N20N3GAKSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPI110N20N3GAKSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPI110N20N3GAKSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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