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IPI200N25N3 G 技術仕様

MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPI200N15N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2762
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IPI200N25N3 G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPI200N25N3 G 参考価格. IPI200N25N3 G パラメーター, IPI200N25N3 G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPI200N25N3 G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPI200N25N3 G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPI200N25N3 G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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