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IPI35CN10N G 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 29µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 27A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
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IPI35CN10N G ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IPI35CN10N G 参考価格. IPI35CN10N G パラメーター, IPI35CN10N G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPI35CN10N G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPI35CN10N G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPI35CN10N G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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