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IPI65R190C6XKSA1
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IPI65R190C6XKSA1 技術仕様
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
IPI65R190C6XKSA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPI65R190C6XKSA1
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データシート
IPI65R190C6XKSA1.pdf
その他には以下が含まれます: "IPI65" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPI65'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPI65R099C6 | INFIENO | 特殊なホットIC | 15487 |
IPI65R099C6XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2539 |
IPI65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPI65R110CFDXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2681 |
IPI65R150CFDXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2515 |
IPI65R190C6 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 48 |
IPI65R190CFD | INFINEON | 特殊なホットIC | 2769 |
IPI65R190CFDXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2532 |
IPI65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPI65R280C6 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 529 |
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