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IPI80N06S3L-05
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IPI80N06S3L-05 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 115µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 69A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13060pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
IPI80N06S3L-05 書類
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データシート
IPI80N06S3L-05.pdf
その他には以下が含まれます: "IPI80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPI80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPI80CN10N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2694 |
IPI80CN10NG | inf | 特殊なホットIC | 1401 |
IPI80N03S4L03AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2693 |
IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPI80N03S4L04AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2519 |
IPI80N04S204AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2731 |
IPI80N04S204AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2569 |
IPI80N04S2H4AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2729 |
IPI80N04S2H4AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2624 |
IPI80N04S3-03 | INFINEON | 特殊なホットIC | 2483 |
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