IPT004N03LATMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Package / Case 8-PowerSFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.4 mOhm @ 150A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
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IPT0001G33R Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 圧力センサー、トランスデューサ 2502
IPT0001G33R Honeywell Aerospace トランスデューサ
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IPT0002D33R Honeywell Aerospace トランスデューサ
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