IRF6608 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ ST
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 55A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1591
IRF6603TR IOR 特殊なホットIC 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2697
IRF6603TRPBF IRF 特殊なホットIC 17939
IRF6604 IRF 特殊なホットIC 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION 特殊なホットIC 1409
IRF6604TR1 MOS IR 特殊なホットIC 976

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