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IRF8113TRPBF
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IRF8113TRPBF 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta) |
IRF8113TRPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRF8113TRPBF
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データシート
IRF8113TRPBF.pdf
その他には以下が含まれます: "IRF81" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRF81'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRF8113 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1199 |
IRF8113 MOS | IR | 特殊なホットIC | 21313 |
IRF8113GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3934 |
IRF8113GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 24551 |
IRF8113PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2759 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRF8113TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 23530 |
IRF8113TR MOS | IR | 特殊なホットIC | 10694 |
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRF8113TRPBF MOS | IRF | 特殊なホットIC | 3129 |
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