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IRF9Z34NSTRLPBF
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IRF9Z34NSTRLPBF 技術仕様
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
IRF9Z34NSTRLPBF 書類
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データシート
IRF9Z34NSTRLPBF.pdf
その他には以下が含まれます: "IRF9Z" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRF9Z'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRF9Z10 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3277 |
IRF9Z10 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 13433 |
IRF9Z10PBF | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 6246 |
IRF9Z10PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 6246 |
IRF9Z10PBF MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 1635 |
IRF9Z14 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 25438 |
IRF9Z14 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 25384 |
IRF9Z14L | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2707 |
IRF9Z14L | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2541 |
IRF9Z14LPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3133 |
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