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IRFB17N20D
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IRFB17N20D 技術仕様
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
IRFB17N20D 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFB17N20D
-
データシート
IRFB17N20D.pdf
その他には以下が含まれます: "IRFB1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFB1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFB1104 | IR | 特殊なホットIC | 13519 |
IRFB11N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 38323 |
IRFB11N50A | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 712 |
IRFB11N50APBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 29172 |
IRFB11N50APBF | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1473 |
IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFB11N50L | IR | 特殊なホットIC | 71 |
IRFB11N60A | IR | 特殊なホットIC | 2522 |
IRFB13N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 36761 |
IRFB13N50A | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32836 |
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IRFB17N20D ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IRFB17N20D 参考価格. IRFB17N20D パラメーター, IRFB17N20D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFB17N20D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFB17N20D ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFB17N20D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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