IRFH4209DTRPBF 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4620pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FASTIRFET™, HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Ta), 260A (Tc)
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IRFH4201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31783
IRFH4201TRPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRFH4209DPbF QQ2850920 特殊なホットIC 15045
IRFH4210DPBF IR 特殊なホットIC 2623
IRFH4210DTPRB. IR 特殊なホットIC 12500
IRFH4210DTPRBF. IR 特殊なホットIC 12000
IRFH4210DTPRBF. MOS IR 特殊なホットIC 12211
IRFH4210DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 41025
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRFH4210DTRPBF IC IR 特殊なホットIC 5065

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