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IRFHE4250DTRPBF 技術仕様

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Series FASTIRFET™
Power - Max 156W
Package / Case 32-PowerWFQFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A, 303A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 32-PQFN (6x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75 mOhm @ 27A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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IRFHE4250DTRPBF Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ

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