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IRFI4110GPBF 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 61W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 43A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9540pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A (Tc)
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IRFI4110GPBF 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFI4019H IR 特殊なホットIC 82
IRFI4019H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2260
IRFI4019H-117P Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ
IRFI4019H-117P MOS IR 特殊なホットIC 263
IRFI4019H-117P/IRFI4019HG-117P IR 特殊なホットIC 10273
IRFI4019HG IR 特殊なホットIC 2693
IRFI4019HG-117P International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2258
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ
IRFI4019HG-117P MOS IR 特殊なホットIC 8271
IRFI4020H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 676

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IRFI4110GPBF ブランドメーカー: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip ストック, IRFI4110GPBF 参考価格. IRFI4110GPBF パラメーター, IRFI4110GPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFI4110GPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFI4110GPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFI4110GPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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