IRFZ44NLPBF 技術仕様

MOSFET N-CH 55V 49A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
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IRFZ40 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 60596
IRFZ40 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2348
IRFZ40PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3027
IRFZ40PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10276
IRFZ40PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFZ42 ST 特殊なホットIC 2584
IRFZ42N IR 特殊なホットIC 2637
IRFZ44 SEC 特殊なホットIC 5441
IRFZ44 MOS IR 特殊なホットIC 746
IRFZ44/IRFZ44N IR 特殊なホットIC 85308

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