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IRG7CH81K10EF-R
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IRG7CH81K10EF-R 技術仕様
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 150A, 1 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Td (on/off) @ 25°C | 70ns/330ns |
Supplier Device Package | Die |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 745nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
IRG7CH81K10EF-R 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRG7CH81K10EF-R
-
データシート
IRG7CH81K10EF-R.pdf
その他には以下が含まれます: "IRG7C" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRG7C'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRG7CH11K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2755 |
IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
IRG7CH20K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2626 |
IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
IRG7CH23K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2629 |
IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
IRG7CH28UED | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2631 |
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
IRG7CH28UEF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2690 |
IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | 単一IGBT |
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