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SGB15N120ATMA1
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SGB15N120ATMA1 技術仕様
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 800V, 15A, 33 Ohm, 15V |
Switching Energy | 1.9mJ |
Power - Max | 198W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 52A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 18ns/580ns |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 130nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
SGB15N120ATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SGB15N120ATMA1
-
データシート
SGB15N120ATMA1.pdf
その他には以下が含まれます: "SGB15" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SGB15'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SGB15N120 | INF | 特殊なホットIC | 22900 |
SGB15N120ATMA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SGB15N60 | Infineo | 特殊なホットIC | 5605 |
SGB15N60ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2511 |
SGB15N60ATMA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SGB15N60HS | INF | 特殊なホットIC | 450 |
SGB15N60HS G15N60HS | INFINEO | 特殊なホットIC | 642 |
SGB15N60HS MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1473 |
SGB15N60HSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2563 |
SGB15N60HSATMA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT |
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